인피니언, 스위칭 손실 50% 감소시킨 차세대 CoolMOS 출시

 

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolMOS™ C7 시리즈 SJ(superjunction) MOSFET 제품군을 출시했다. 이 600V 시리즈는 CoolMOS™ CP와 비교해 턴-오프 손실을 50% 줄였으며 PFC, TTF 및 기타 하드 스위칭 토폴로지에서 GaN 수준의 성능을 제공한다. CoolMOS C7은 업계 최초로 mm2당 1Ω의 단위 면적당 온 저항(RDS(ON)*A)을 달성하여 인피니언의 패키지당 최저 RDS(ON) 제품 포트폴리오를 확장함으로써 전력 밀도를 더욱 증가시키고자 하는 고객의 노력을 지원한다. 새로운 CoolMOS 시리즈는 매우 낮은 스위칭 손실을 특징으로 하며, 높은 효율 및 낮은 BoM비용과 총소유비용(TCO)을 요구하는 서버, 통신, 태양광 및 산업용 애플리케이션을 비롯한 고전력 SMPS 애플리케이션에 적합하다.

 

하이퍼스케일 데이터 센터, 통신 기지국 등 효율과 TCO가 중요한 애플리케이션은 CoolMOS C7이 제공하는 스위칭 손실 감소로부터 이득을 얻을 수 있다. PFC에서 0.3% ~ 0.7%, LLC 토폴로지에서 0.1%의 효율 이득을 달성할 수 있으므로 총소유비용을 크게 낮춰준다. 예를 들어 2.5kW 서버 PSU에서 C7 600V MOSFET을 사용할 경우 PSU 에너지 손실에 대해 약 10%의 에너지 비용을 절감할 수 있다.

 

엔터프라이즈 서버 등 BoM 및 비용이 중요한 설계에서 CoolMOS C7 600V 디바이스는 마그네틱 부품 비용을 절감시킬 수 있다. C7은 게이트 차지와 출력 커패시턴스가 매우 낮으므로 2배 더 높은 스위칭 주파수에서 동작할 수 있으며 효율상에서 한계적인 손실만을 갖는다. 이것은 마그네틱 부품 크기를 최소화할 수 있도록 해 전체 BoM 비용을 낮춰준다. 예를 들어 스위칭 주파수를 65kHz에서 130kHz로 두 배로 높이면 마그네틱 부품 비용을 30%까지 줄일 수 있다.

 

CoolMOS C7 600V 제품군은 2곳의 300mm 제조시설에서 생산되어 고객에게 원활한 공급을 보장한다. 제품군은 다양한 RDS(ON) 값과 패키지로 제공되며, TO-247 4핀 패키지 등 혁신적 옵션을 포함하는데, 4번째 핀은 빠른 과도 응답에 의해 발생하는 소스 인덕턴스의 전압 강하를 없애 전체 부하에서 최대 0.4%까지 효율을 증대시킨다.

 

인피니언의 AC/DC 사업부를 총괄하는 피터 바버(Peter Wawer) 부사장은 "새로운 CoolMOS C7 600V 제품군은 2016년 초 출시 예정인 GaN 디바이스로 가는 중요한 징검다리이다. CoolMOS C7 디바이스는 현재 대량 생산이 가능한 성능이 검증된 기술로 최저 손실과 최대 200kHz의 더 높은 주파수를 제공하지만, 인피니언의 GaN 기술은 주파수 범위를 더욱 증가시키고 새로운 토폴로지를 구현하게 될 것이다."라고 말했다.

 

인피니언의 보완적인 새로운 2EDN7524 EiceDRIVER™ IC는 업계 표준 핀아웃으로 제공되며, 각각 5A 소스 및 싱크 피크 전류를 공급할 수 있는 2개의 독립적인 비절연 로우 사이드 게이트 드라이버를 제공한다. 두 채널은 모두 단 5ns(일반)의 상승/하강 시간으로 동작하며, 1ns의 탁월한 채널간 지연 정합으로 동시 스위칭 구성이 가능해 전체 드라이브 전류를 두 배로 증가시킬 수 있다. 높은 전류에도 불구하고 출력 스테이지는 매우 낮은 RDS(ON)을 가지므로 극히 작은 외부 게이트 저항을 사용하거나 아예 사용하지 않는 경우에도 드라이버에서 전력 소모를 최소화한다. 드라이버 IC는 제어 및 인에이블 입력에서 최대 -10VDC를 처리할 수 있으므로 접지 바운스에 대해 탁월한 견고성으로 시스템 신뢰성을 보장한다.