인피니언, 공간을 절약하고 견고한 로직 레벨 StrongIRFET MOSFET 출시

무선 전동 드릴이나 전기톱 등의 DIY 공구는 사용이 편리하고 견고해야 한다. 따라서 이러한 애플리케이션에 사용되는 전자 부품은 공간을 절약하고 견고해야 한다. 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 이러한 요구를 충족하는 StrongIRFET™ 전력 MOSFET을 출시했다. 이들 로직 레벨 StrongIRFET™은 마이크로컨트롤러로 바로 구동할 수 있으므로 공간을 절약하고 비용을 줄일 수 있다. 또한 이들 MOSFET은 견고성이 매우 뛰어나 전자 장비의 수명을 연장한다.

철저한 테스트를 거친 StrongIRFET 제품군은 전기 기기가 최대의 에너지 효율을 달성할 수 있도록 한다. 인피니언은 StrongIRFET 제품군에 이들 로직 레벨 제품들을 추가함으로써 별도의 드라이버를 필요로 하지 않는 제품에 대한 시장의 요구를 충족하게 되었다. 이들 로직 레벨 제품은 필요한 게이트-소스 전압을 4.5V로 낮추었으며, 따라서 많은 애플리케이션에서 이들 MOSFET을 마이크로컨트롤러에 직접 연결할 수 있게 되었다.

 

인피니언의 전력 관리 및 멀티마켓 부문 제품 마케팅 이사인 스테판 얼녹스(Stephane Ernoux)씨는 “이들 로직 레벨 StrongIRFET은 두 가지 중요한 이점을 제공한다. 다양한 애플리케이션에서 전자 설계의 복잡성을 낮추고, 전에 없이 뛰어난 견고성을 달성한다.”라고 말했다. 로직 레벨 제품은 StrongIRFET제품군의 성능을 그대로 유지한다.  낮은 온-상태 저항(0.52mOhm 정격 및 0.97mOhm 최대)으로 전도 손실을 낮추고, 높은 전류 용량을 제공함으로써 높은 전력 용량을 가능하게 하며, 견고한 실리콘으로 높은 시스템 신뢰성을 보장한다.

 

 

 

 

인피니언, 스위칭 손실 50% 감소시킨 차세대 CoolMOS 출시

 

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolMOS™ C7 시리즈 SJ(superjunction) MOSFET 제품군을 출시했다. 이 600V 시리즈는 CoolMOS™ CP와 비교해 턴-오프 손실을 50% 줄였으며 PFC, TTF 및 기타 하드 스위칭 토폴로지에서 GaN 수준의 성능을 제공한다. CoolMOS C7은 업계 최초로 mm2당 1Ω의 단위 면적당 온 저항(RDS(ON)*A)을 달성하여 인피니언의 패키지당 최저 RDS(ON) 제품 포트폴리오를 확장함으로써 전력 밀도를 더욱 증가시키고자 하는 고객의 노력을 지원한다. 새로운 CoolMOS 시리즈는 매우 낮은 스위칭 손실을 특징으로 하며, 높은 효율 및 낮은 BoM비용과 총소유비용(TCO)을 요구하는 서버, 통신, 태양광 및 산업용 애플리케이션을 비롯한 고전력 SMPS 애플리케이션에 적합하다.

 

하이퍼스케일 데이터 센터, 통신 기지국 등 효율과 TCO가 중요한 애플리케이션은 CoolMOS C7이 제공하는 스위칭 손실 감소로부터 이득을 얻을 수 있다. PFC에서 0.3% ~ 0.7%, LLC 토폴로지에서 0.1%의 효율 이득을 달성할 수 있으므로 총소유비용을 크게 낮춰준다. 예를 들어 2.5kW 서버 PSU에서 C7 600V MOSFET을 사용할 경우 PSU 에너지 손실에 대해 약 10%의 에너지 비용을 절감할 수 있다.

 

엔터프라이즈 서버 등 BoM 및 비용이 중요한 설계에서 CoolMOS C7 600V 디바이스는 마그네틱 부품 비용을 절감시킬 수 있다. C7은 게이트 차지와 출력 커패시턴스가 매우 낮으므로 2배 더 높은 스위칭 주파수에서 동작할 수 있으며 효율상에서 한계적인 손실만을 갖는다. 이것은 마그네틱 부품 크기를 최소화할 수 있도록 해 전체 BoM 비용을 낮춰준다. 예를 들어 스위칭 주파수를 65kHz에서 130kHz로 두 배로 높이면 마그네틱 부품 비용을 30%까지 줄일 수 있다.

 

CoolMOS C7 600V 제품군은 2곳의 300mm 제조시설에서 생산되어 고객에게 원활한 공급을 보장한다. 제품군은 다양한 RDS(ON) 값과 패키지로 제공되며, TO-247 4핀 패키지 등 혁신적 옵션을 포함하는데, 4번째 핀은 빠른 과도 응답에 의해 발생하는 소스 인덕턴스의 전압 강하를 없애 전체 부하에서 최대 0.4%까지 효율을 증대시킨다.

 

인피니언의 AC/DC 사업부를 총괄하는 피터 바버(Peter Wawer) 부사장은 "새로운 CoolMOS C7 600V 제품군은 2016년 초 출시 예정인 GaN 디바이스로 가는 중요한 징검다리이다. CoolMOS C7 디바이스는 현재 대량 생산이 가능한 성능이 검증된 기술로 최저 손실과 최대 200kHz의 더 높은 주파수를 제공하지만, 인피니언의 GaN 기술은 주파수 범위를 더욱 증가시키고 새로운 토폴로지를 구현하게 될 것이다."라고 말했다.

 

인피니언의 보완적인 새로운 2EDN7524 EiceDRIVER™ IC는 업계 표준 핀아웃으로 제공되며, 각각 5A 소스 및 싱크 피크 전류를 공급할 수 있는 2개의 독립적인 비절연 로우 사이드 게이트 드라이버를 제공한다. 두 채널은 모두 단 5ns(일반)의 상승/하강 시간으로 동작하며, 1ns의 탁월한 채널간 지연 정합으로 동시 스위칭 구성이 가능해 전체 드라이브 전류를 두 배로 증가시킬 수 있다. 높은 전류에도 불구하고 출력 스테이지는 매우 낮은 RDS(ON)을 가지므로 극히 작은 외부 게이트 저항을 사용하거나 아예 사용하지 않는 경우에도 드라이버에서 전력 소모를 최소화한다. 드라이버 IC는 제어 및 인에이블 입력에서 최대 -10VDC를 처리할 수 있으므로 접지 바운스에 대해 탁월한 견고성으로 시스템 신뢰성을 보장한다.