TI, 하이브리드 차량의 전원 시스템 성능을 향상시키는 하프 브리지 게이트 드라이버 출시

최고속 120V 하이사이드/로우사이드 게이트 드라이버로
스위칭 손실과 잡음은 최소화하고 효율성과 주행 거리는 증가

 

 TI (대표이사 켄트 전)는 견고한 처리 기능을 갖춘 업계 최고속 120V 오토모티브 등급의 하프 브리지 게이트 드라이버를 출시한다고 밝혔다. 신제품 UCC27201A-Q1하이사이드/로우사이드 게이트 드라이버는 짧은 상승 및 하강 시간과 15ns 지연 시간을 가지며, 12V ~ 48V DC/DC 전원 공급장치를 위한 가장 엄격한 1ns의 지연 정합을 갖는다. 또한 향상된 잡음 내성을 제공하여 하이브리드 차량의 전반적인 시스템 성능을 향상시킨다. (보다 자세한 내용은 www.ti.com/UCC27201A-Q1-pr 참조) UCC27201A-Q1은 하이사이드 핀에 네거티브 전압 처리 기능을 제공하는 업계 유일의 오토모티브 게이트 드라이버로서 제품을 잡음에 더욱 강하게 만든다. 또한, 120V 부트스트랩 다이오드를 내장하고 있어 N채널 MOSFET 제어가 가능하여 외부 개별 다이오드가 필요하지 않다.

 

 

UCC27201A-Q1의 주요 기능 및 장점
- 솔루션 크기 및 무게 감소: 15ns의 업계 최고속 지연 시간과 7ns의 보다 빠른 상승 및 하강 시간으로 고주파수에서 시스템 변환이 가능하여, 자기 부품과 히트 싱크의 크기 및 무게를 줄이고 궁극적으로 차량 부하를 가볍게 하여 주행거리 연장 가능
- 전원 공급장치 보호: 1ns의 가장 엄격한 지연 정합을 통해 단락 회로와 고장으로부터 전원 공급장치 보호
- 스위칭 손실 감소: 전력 조절의 효율성을 향상시키고 수백 킬로헤르츠(kHz)의 고주파수에서 시스템 변환이 가능하여 시스템 크기 및 무게를 줄여줌
- 향상된 잡음 내성 제공: 스위치 노드 핀의 우수한 네거티브 전압 처리 기능으로, 잡음 내성을 통해 전자 시스템에서 실제 오작동 제거 가능
- 넓은 전력 범위에서 MOSFET 구동: 다양한 전력 레벨에서 모든 MOSFET 사용 가능

 

 

시스템 성능을 극대화하는 보완 디바이스
UCC27201A-Q1은 고효율 하이브리드 시스템에서 디지털 컨트롤러인 UCD3138, C2000™ 론치패드™ 개발 키트, 초저전력 MSP430TM 마이크로컨트롤러 또는 모든 아날로그 컨트롤러와 함께 사용할 수 있다.

 

 

설계 시간을 단축시키는 개발 툴 및 지원
개발자는 TINA-TI™ 및 PSpice 모델을 사용하여 시스템 성능을 빠르게 시뮬레이션을 함으로써 애플리케이션을 신속하게 개발하고 디버그할 수 있다.